降电价政计全（f）IrNSs-CNFs的元素映射。

由于分子-离子铁电体的环境友好特性，策延该工作不仅扩展了分子-离子铁电体的应用，策延而且为磁电材料的制备提供了有效的方法，并为磁电材料系列增添了新的成员。对磁电层压复合材料的磁电效应研究表明，至年其室温磁电压系数(αME)在HDC=275Oe和HAC频率约为39kHz时高达186mV·cm-1·Oe-1。

该研究结果为磁电材料的制备提供了有效的方法，底预并为磁电材料系列中增加一种新成员。c)1kHz的HAC频率下，年减四丁基铵四氯镓酸/Terfenol-D的磁电耦合系数随HDC的变化。【小结】综上所述，免电作者利用室温多轴分子-离子铁电体——四丁基铵四氯镓酸制备了磁电复合材料，免电证实多轴分子-离子铁电体是制备磁电复合材料的新型备选材料。

费约文献链接：ConstructionofMagnetoelectricCompositeswithaLargeRoom-TemperatureMagnetoelectricResponsethroughMolecular-IonicFerroelectrics (Adv.Mater.,2018,DOI:10.1002/adma.201803716)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。亿元b)四丁基铵四氯镓酸在中温相(ITP)中的晶体结构。

降电价政计全图4磁电复合材料的结构和性能a)四丁基铵四氯镓酸/Terfenol-D磁电复合材料的层结构。

【引言】为了获得具有强室温磁电响应的磁电材料，策延研究人员发现压电和磁性物质之间的交叉相互作用可以在室温下产生大的磁电响应，策延正如在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/金属玻璃等磁电复合材料中观察到的现象。至年（d）基于NiS2/CoS2-ONWs的水分离装置的电压-时间曲线。

底预（b）CoO催化剂的双功能活性的示意图。表面缺陷工程，年减eg可以引起金属离子的价态转变的氧空位，可用于调制固有电子配置和优化eg电子填充状态。

免电（a）块状Ni3N和Ni3N纳米片的状态密度（DOS）。费约（e）电催化剂的ORR极化曲线。